[发明专利]一种低维材料形成方法

摘要

本发明涉及一种低维材料形成方法，属于二维半导体材料技术领域。所述低维材料形成方法为：通过化学机械平坦化和自限制氧化对硅片进行表面处理，使硅片的一表面变得平整，片内均匀性2nm，得处理后的硅片；取一处理后的硅片，在该硅片另一非平整表面形成氧化层；在氧化层顶部生长或转移一层二维材料；取另一处理后的硅片，将其平整面与步骤S3中硅片的二维材料层通过范德华力键合；通过化学机械平坦化和自限制氧化，对所得硅片的非平整面进行处理，得平整表面；通过原子层刻蚀、自限制氧化得到少层平整的硅烯；在氮气或氩气催化下，使其晶格按照Si下表面的晶格重新排列，形城大面积、少层均匀和高纯度的单层或少层结构的二维材料。

主权项

1.一种低维材料形成方法，其特征在于，步骤如下：S1：通过化学机械平坦化和自限制氧化对硅片进行表面处理，使硅片的一表面变得平整，片内均匀性<2nm，得处理后的硅片；S2：取一处理后的硅片，在该硅片平整表面形成氧化层；S3：在氧化层顶部生长或转移一层二维材料；S4：取另一处理后的硅片，将其平整面与步骤S3中硅片的二维材料层通过范德华力键合；S5：通过化学机械平坦化和自限制氧化对所得硅片的非平整面进行处理，得平整表面；S61：原子层刻蚀；S62：通过自限制氧化，得到少层平整的硅烯；S63：在氮气或氩气催化下，使其晶格按照Si下表面的晶格重新排列，形城大面积、少层均匀和高纯度的单层或少层结构的二维材料。