[发明专利]一种掩模板和拼接曝光方法在审
| 申请号： | 201910228575.1 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111736422A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 任书铭;杨志勇 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/76;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种掩模板和拼接曝光方法。此掩模板包括：目标曝光图案和补偿曝光图案；所述补偿曝光图案位于所述目标曝光图案的拼接端；沿垂直于拼接方向上，所述目标曝光图案具有第一宽度Y0；沿垂直于拼接方向上，所述补偿曝光图案具有第二宽度Y1；若所述第一宽度Y0与光刻装置的最小分辨能力W满足Y0≥120％W，所述补偿曝光图案邻接于所述目标曝光图案的拼接端，且60％Y0≤Y1≤99％Y0。本发明实施例的技术方案可在拼接曝光不断线的同时，有利于解决拼接位置图形变形的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模板 拼接 曝光 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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