[发明专利]一种掩模板和拼接曝光方法

说明书

本发明实施例公开了一种掩模板和拼接曝光方法。此掩模板包括：目标曝光图案和补偿曝光图案；所述补偿曝光图案位于所述目标曝光图案的拼接端；沿垂直于拼接方向上，所述目标曝光图案具有第一宽度Y0；沿垂直于拼接方向上，所述补偿曝光图案具有第二宽度Y1；若所述第一宽度Y0与光刻装置的最小分辨能力W满足Y0≥120％W，所述补偿曝光图案邻接于所述目标曝光图案的拼接端，且60％Y0≤Y1≤99％Y0。本发明实施例的技术方案可在拼接曝光不断线的同时，有利于解决拼接位置图形变形的问题。

技术领域

本发明实施例涉及光刻技术领域，尤其涉及一种掩模板和拼接曝光方法。

背景技术

随着技术的发展，显示装置和显示面板的尺寸不断增大。在制作显示面板的过程中，通常需要应用掩模曝光技术对不同膜层进行曝光，对应得到目标曝光图案，以期形成显示面板中的各种电路结构或光学结构。目前，掩模曝光过程中，由于光刻装置的曝光视场有限，当显示面板的尺寸大于曝光视场的尺寸时，往往需要应用拼接曝光技术(也可称为掩模板拼接技术)，所谓拼接曝光是指利用多个较小尺寸的掩模板进行分次多步曝光，形成较大尺寸的曝光图案。

但是，掩模板拼接时，由于光学临近效应的存在，光刻胶在实际曝光时会发生内缩现象，造成曝光后靠近图形外端处发生变形，从而在拼接时较易发生断线情况。为解决该问题，可将掩模图形外端重叠拼接，但拼接重叠处的图形由于受到了两次曝光剂量的影响，此区域图形相比只受到了一次曝光剂量影响的非拼接区域线宽就会有差异，从而导致拼接位置图形变形的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种掩模板和拼接曝光方法，以在拼接曝光不断线的同时，有利于解决拼接位置图形变形的问题。

本发明实施例提供一种掩模板，该掩模板包括：

目标曝光图案和补偿曝光图案；

所述补偿曝光图案位于所述目标曝光图案的拼接端；

沿垂直于拼接方向上，所述目标曝光图案具有第一宽度Y0；沿垂直于拼接方向上，所述补偿曝光图案具有第二宽度Y1；

若所述第一宽度Y0与光刻装置的最小分辨能力W满足Y0≥120％W，所述补偿曝光图案邻接于所述目标曝光图案的拼接端，且60％Y0≤Y1≤99％Y0。

进一步地，70％Y0≤Y1≤90％Y0。

进一步地，沿所述拼接方向，所述补偿曝光图案具有第一长度X1，1μm≤X1≤5μm。

进一步地，1.5μm≤X1≤2.5μm。

进一步地，所述补偿曝光图案中还设置有第一拼接中心线；在掩模曝光工艺中相互拼接的两个补偿曝光图案的第一拼接中心线重叠。

进一步地，沿所述拼接方向，所述第一拼接中心线位于所述补偿曝光图案的所述第一长度X1的二分之一位置处。

进一步地，所述补偿曝光图案的形状可包括半圆形、半椭圆形和多边形中的至少一种。

进一步地，所述补偿曝光图案为轴对称图形，对称轴沿所述拼接方向延伸。

本发明实施例还提供一种掩模板，该掩模板包括：

目标曝光图案和补偿曝光图案；

所述补偿曝光图案位于所述目标曝光图案的拼接端；

沿垂直于拼接方向上，所述目标曝光图案具有第一宽度Y0；沿垂直于拼接方向上，所述补偿曝光图案具有第二宽度Y1；

若所述第一宽度Y0与光刻装置的最小分辨能力W满足100％W≤Y0≤120％W，所述补偿曝光图案包覆于所述目标曝光图案的拼接端，且

进一步地，