[发明专利]一种PIN二极管器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910212187.4 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109817728A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张紫辉;侯旭;张勇辉 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/207;H01L21/329 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 赵凤英 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明为一种PIN二极管器件结构及其制备方法。该二极管器件结构包括以下两种：第一种，二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：P‑型欧姆电极、P‑型重掺杂半导体传输层、N‑型插入层、N‑型本征层、N‑型重掺杂半导体传输层和N‑型欧姆电极；或者，第二种，二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：N‑型欧姆电极、N‑型重掺杂半导体传输层、N‑型本征层、N‑型插入层、P‑型重掺杂半导体传输层以及P‑型欧姆电极。本发明中利用极化效应的PIN二极管器件，生产成本低，制作工艺简单，正向工作性能好，实现了低于未利用化效应PIN器件106的漏电流，且击穿电压也由348V增加到747V，反向性能得到了极大提升。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆电极 传输层 重掺杂 二极管器件 半导体 外延生长方向 器件结构 本征层 插入层 制备 生产成本低 工作性能 击穿电压 极化效应 制作工艺 漏电流 正向 | ||
【主权项】：
1.一种PIN二极管器件结构，其特征为该二极管器件结构包括以下两种：第一种，二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：P‑型欧姆电极、P‑型重掺杂半导体传输层、N‑型插入层、N‑型本征层、N‑型重掺杂半导体传输层和N‑型欧姆电极；或者，第二种，二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：N‑型欧姆电极、N‑型重掺杂半导体传输层、N‑型本征层、N‑型插入层、P‑型重掺杂半导体传输层以及P‑型欧姆电极。
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