[发明专利]一种CsPbBr3量子点-硅基复合结构太阳能电池

摘要

本发明涉及太阳能电池领域内一种CsPbBr₃量子点‑硅基复合结构太阳能电池，包括硅基太阳能电池和涂覆于硅电池片表面的CsPbBr₃量子点薄膜，所述CsPbBr₃量子点薄膜的厚度为20～25nm。本发明的CsPbBr₃量子点‑硅基复合结构太阳能电池，用旋涂方法在硅基太阳能电池表面制备CsPbBr₃胶体量子点薄膜，形成CsPbBr₃量子点‑硅基复合结构太阳能电池，使硅基太阳能电池表面形成荧光下转移层，相比传统的Ⅱ‑Ⅵ族化合物量子点下转移材料，CsPbBr₃量子点具有吸收截面大、光吸收率高的优点，只需旋涂单层薄膜即可增强电池的短波响应以及光伏特性，避免了下转移层厚度过大导致串联电阻增大的不利影响，同时成膜参数可控，复合结构电池表面反射率降低，短波响应增强的同时长波响应也有增加，短路电流增大，电池的光电转换效率升高。

主权项

1.一种CsPbBr₃量子点‑硅基复合结构太阳能电池，其特征在于，包括硅基太阳能电池和涂覆于硅电池片表面的CsPbBr₃量子点薄膜，所述CsPbBr₃量子点薄膜的厚度为20～25nm。