[发明专利]太赫兹光电探测器有效
申请号: | 201910206985.6 | 申请日: | 2019-03-19 |
公开(公告)号: | CN111739950B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 贺涛;杨宇鹏;胡海峰;金梅花 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/10 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王庆龙;苗晓静 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种太赫兹光电探测器,包括:上层结构;上层结构包括频率选择表面、微带线和肖特基二极管;频率选择表面通过微带线与肖特基二极管连接;频率选择表面用于吸收特定频率的入射波能量;微带线用于汇集入射波能量,并将汇集后的入射波能量传导至肖特基二极管;肖特基二极管用于对入射波能量进行整流,输出对应的直流电信号。本发明实施例提供的太赫兹光电探测器,通过微带线将频率选择表面吸收的入射波能量传导至肖特基二极管,从而利用肖特基二极管整流成直流电信号输出,同时实现了频率选择以及将太赫兹信号转化为直流电信号的功能。 | ||
搜索关键词: | 赫兹 光电 探测器 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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