[发明专利]一种无缺陷密堆积石墨烯亚微米薄膜的制备方法与应用在审
| 申请号： | 201910200721.X | 申请日： | 2019-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN109928385A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 高超;彭蠡;许震;刘一晗 | 申请（专利权）人： | 杭州高烯科技有限公司;浙江大学 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184;H01G9/042;H01G9/048;H01G9/20 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 黄欢娣;邱启旺 |
| 地址： | 311113 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无缺陷密堆积石墨烯亚微米薄膜及其制备方法与应用，该石墨烯膜中石墨烯片层紧密堆积，无气孔，密度高；石墨烯片层内部缺陷可控。通过特殊的三步热处理得到：在300度以下逐步脱落，将石墨烯表面部分碳原子解离，形成孔洞缺陷。在1500度升温以及稳定过程中，官能团通过孔洞缺陷不断脱离，直至完全脱落，无官能团存在。在温度高于1600度时，石墨烯表面缺陷得到缓慢修复。致密的堆积结构以及无缺陷的原子结构，使得石墨烯膜具有极好的电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 石墨烯片层 孔洞缺陷 石墨烯膜 微米薄膜 密堆积 制备 原子结构 致密 电导率 热处理 表面缺陷 紧密堆积 内部缺陷 稳定过程 碳原子 解离 可控 堆积 应用 修复 脱离 | ||
【主权项】：
1.一种无缺陷密堆积石墨烯亚微米薄膜，其特征在于，所述薄膜为亚稳态结构，其中，石墨烯单片层内没有原子孔洞缺陷和SP3缺陷；片层之间的堆叠方式为乱序堆叠。
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