[发明专利]一种无缺陷密堆积石墨烯亚微米薄膜的制备方法与应用在审
| 申请号： | 201910200721.X | 申请日： | 2019-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN109928385A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 高超;彭蠡;许震;刘一晗 | 申请（专利权）人： | 杭州高烯科技有限公司;浙江大学 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184;H01G9/042;H01G9/048;H01G9/20 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 黄欢娣;邱启旺 |
| 地址： | 311113 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯 石墨烯片层 孔洞缺陷 石墨烯膜 微米薄膜 密堆积 制备 原子结构 致密 电导率 热处理 表面缺陷 紧密堆积 内部缺陷 稳定过程 碳原子 解离 可控 堆积 应用 修复 脱离 | ||
【权利要求书】：
1.一种无缺陷密堆积石墨烯亚微米薄膜，其特征在于，所述薄膜为亚稳态结构，其中，石墨烯单片层内没有原子孔洞缺陷和SP3缺陷；片层之间的堆叠方式为乱序堆叠。
2.一种无缺陷密堆积石墨烯亚微米薄膜的制备方法，其特征在于，该方法为：对碳氧比为1.8～2.2的氧化石墨烯膜进行如下热处理：以1～5℃/min逐步升温到300度，维持1-2小时；降至室温后，1～20℃/min逐步升温到1500度，维持1-2小时，然后1～50℃/min继续升温到3000度，维持1-2小时。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述石墨烯膜通过刮膜法制备得到。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯膜的厚度小于3um。
5.一种权利要求1所述的无缺陷密堆积石墨烯亚微米薄膜的应用，其特征在于，应用于太阳能电池、纳米级声波发生器等。
6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述薄膜作为太阳能电池的电极。
7.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，纳米级声波发生器包括热导率低于200W/mK的基底、平铺于基底上的无缺陷密堆积石墨烯亚微米薄膜，以及电信号输入单元和两个音频电流输入用银胶电极，两个银胶电极分别设置在声波发生薄膜的两端，声波发生薄膜、两个银胶电极和电信号输入单元串联形成回路。
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