[发明专利]存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910197183.3 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN111696989B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 陈建廷;蔡耀庭;廖修汉 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/00;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储元件及其制造方法，所述存储元件包括：基底、多个堆叠结构、间隙壁、介电层以及多个接触插塞。堆叠结构配置于基底上。间隙壁内嵌于堆叠结构中，以使堆叠结构的上部的宽度小于其下部的宽度。介电层共形地覆盖堆叠结构与间隙壁。接触插塞分别配置在堆叠结构之间的基底上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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