[发明专利]一种巨介电常数CCTO基薄膜材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910196716.6 申请日: 2019-03-15
公开(公告)号: CN109721353A 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 黄延伟;曾和平 申请(专利权)人: 上海朗研光电科技有限公司;华东师范大学
主分类号: C04B35/465 分类号: C04B35/465;C04B35/622;C04B35/624;C04B35/64
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200237 上海市闵行区虹*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于巨介电常数薄膜材料技术领域,具体为一种巨介电常数CCTO基薄膜材料的制备方法。具体为:先以钛酸四丁脂、硝酸铜、醋酸钙等含有金属阳离子源的材料为先驱物原料,以能溶解先驱物原料的水、无水乙醇、冰醋酸等为溶剂,配制含有钛源、铜源和钙源等的先驱物溶胶,即CCTO基材料的先驱物溶胶,将此溶胶静置一段时间进行老化,采用提拉法或旋涂法在玻璃或硅衬底上进行镀膜,然后置于红外灯下烘烤10‑30min,将烘烤过的薄膜在一定条件下进行激光辐照,除去有机溶剂及溶剂阴离子,即得到纯相的CCTO基薄膜材料,该制备方法成本低廉、快速高效,适合CCTO巨介电材料的推广应用。
搜索关键词: 先驱物 巨介电常数 基薄膜 制备 烘烤 溶剂 金属阳离子 巨介电材料 钛酸四丁脂 薄膜材料 激光辐照 无水乙醇 有机溶剂 冰醋酸 醋酸钙 硅衬底 红外灯 基材料 提拉法 硝酸铜 旋涂法 阴离子 镀膜 钙源 铜源 钛源 薄膜 配制 溶解 老化 玻璃
【主权项】:
1.一种巨介电常数CCTO基薄膜材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将前驱物原料溶解于溶剂中,得到前驱物溶胶;将所述前驱物溶胶静置老化后,在基材表面进行镀膜,用红外灯进行烘烤,得到半成品;将所述半成品利用激光辐照进行退火后,除去水分和溶剂,得到所述巨介电常数CCTO基薄膜材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海朗研光电科技有限公司;华东师范大学,未经上海朗研光电科技有限公司;华东师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910196716.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top