[发明专利]一种用于相变存储器的Mg-Sn-Sb薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910194319.5 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110010761B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 胡益丰;孙松;邹华;朱小芹 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H10B63/10 | 分类号： | H10B63/10 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 高姗 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及微电子材料领域，具体涉及一种用于相变存储器的Mg‑Sn‑Sb薄膜材料及其制备方法。所述Mg‑Sn‑Sb的结构通式为Mg |
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| 搜索关键词： | 一种 用于 相变 存储器 mg sn sb 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于相变存储器的Mg‑Sn‑Sb薄膜材料，其特征在于，所述Mg‑Sn‑Sb的结构通式为MgxSnySbz，其中x+y+z＝100，0.1<x<40，0.1<y<20。
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