[发明专利]片状吸收剂在高填充比条件下自发取向的方法及吸波涂料有效
| 申请号： | 201910175037.0 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN109957275B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李维;胡家睿;官建国;陈志宏;马会茹 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C09D5/32 | 分类号： | C09D5/32;C09D163/00 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 42208 | 代理人： | 程祥 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种片状吸收剂在高填充比条件下自发取向的方法及吸波涂料。所述方法包括通过对片状吸收剂表面用硅烷偶联剂进行改性，然后与涂料混合均匀，再以通过喷涂的方式使得片状吸收剂在高填充比吸波涂层中自发取向。所述吸波涂料由下法制得：1）应用氨基硅烷对片状吸收剂进行表面改性；2）改性后的片状吸收剂均匀分散于涂料中；3）喷涂和吸收剂固化过程中的自取向。本发明制备的吸波涂料具有较好的填充率、取向度和电磁性能，在电子、飞机、卫星、雷达、通讯等领域有重要用途。 | ||
| 搜索关键词： | 片状 吸收剂 填充 条件下 自发 取向 方法 涂料 | ||
【主权项】：
1.一种片状吸收剂在高填充比条件下自发取向的方法，其特征在于，通过对片状吸收剂表面用硅烷偶联剂进行改性，然后与涂料混合均匀，再以通过喷涂的方式使得片状吸收剂在高填充比吸波涂层中自发取向。
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