[发明专利]一种低导通平坦度模拟开关有效
| 申请号： | 201910164082.6 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109787603B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 何永强;罗旭程;程剑涛;杜黎明;孙洪军 | 申请（专利权）人： | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨华;王宝筠 |
| 地址： | 201199 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种低导通平坦度模拟开关，包括基本开关模块和电流检测模块。基本开关模块中包括NMOS管N1，用于接收音频信号，并在导通的状态下输出所述音频信号。电流检测模块用于按照预设比例对NMOS管N1的负载电流进行缩放，得到补偿电流，并将补偿电流输入NMOS管N1。补偿电流的注入将提高NMOS管N1的栅极电压，进而降低导通电阻，减小负载电流变大过程中NMOS管N1导通电阻的变大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低导通 平坦 模拟 开关 | ||
【主权项】：
1.一种低导通平坦度模拟开关，其特征在于，包括：基本开关模块和电流检测模块；所述基本开关模块中包括NMOS管N1，用于接收音频信号，并在导通的状态下输出所述音频信号；所述电流检测模块用于按照预设比例对所述NMOS管N1的负载电流进行缩放，得到补偿电流，并将所述补偿电流输入所述NMOS管N1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海艾为电子技术股份有限公司，未经上海艾为电子技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910164082.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
