[发明专利]具有高线性度的单刀双掷（SPDT）开关和发送-接收电路在审
| 申请号： | 201910149311.7 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110572143A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | V.特里帕西 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种单刀双掷开关。在一些实施例中，开关包括连接在单刀双掷开关的公共端子和单刀双掷开关的第一开关接线端子之间的第一开关晶体管、连接在单刀双掷开关的公共端子和单刀双掷开关的第二开关接线端子之间的第二开关晶体管、连接在单刀双掷开关的公共端子和第一开关晶体管的栅极之间的第一辅助晶体管、以及连接在单刀双掷开关的公共端子和第二开关晶体管的栅极之间的第二辅助晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 单刀双掷开关 公共端子 第一开关 辅助晶体管 开关晶体管 晶体管 开关接线端子 接线端子 | ||
【主权项】：
1.一种单刀双掷开关，包括：/n第一开关晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和单刀双掷开关的第一开关接线端子之间，/n第二开关晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和单刀双掷开关的第二开关接线端子之间，/n第一辅助晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和第一开关晶体管的栅极之间，以及/n第二辅助晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和第二开关晶体管的栅极之间。/n
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