[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910146109.9 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110197849A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 黑川敦;佐野雄一 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331;H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制热应力的半导体装置。半导体装置具有：半导体元件，具有包括设置于化合物半导体基板的集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管、以及分别与集电极层、基极层及发射极层接触的集电极电极、基极电极及发射极电极；保护层，设置于半导体元件的一个面；发射极再布线层，经由设置于保护层的接触孔与发射极电极电连接；以及应力缓和层，在与化合物半导体基板的表面垂直的方向上，设置于发射极再布线层与发射极层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 发射极层 化合物半导体基板 半导体元件 发射极电极 集电极层 再布线层 保护层 发射极 基极层 集电极电极 双极晶体管 应力缓和层 表面垂直 基极电极 电连接 接触孔 热应力 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：半导体元件，具有包括设置于化合物半导体基板的集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管、以及分别与所述集电极层、所述基极层及所述发射极层接触的集电极电极、基极电极及发射极电极；保护层，设置于所述半导体元件的一个面；发射极再布线层，经由设置于所述保护层的接触孔与所述发射极电极电连接；以及应力缓和层，在与所述化合物半导体基板的表面垂直的方向上，设置于所述发射极再布线层与所述发射极层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所，未经株式会社村田制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910146109.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：接触结构
- 下一篇：一种分裂栅SiC垂直功率MOS器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
