[发明专利]神经元系统、感光类神经元器件及其制作方法和应用有效

专利信息
申请号: 201910145981.1 申请日: 2019-02-27
公开(公告)号: CN111628038B 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 邵琳;赵建文;崔铮 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L31/113 分类号: H01L31/113;H01L31/18;H01L27/144;H01L27/142
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种感光类神经元器件,包括栅极,介电层,源极,漏极以及有源层;介电层设置于所述栅极上,源极和漏极间隔设置于所述介电层上,所述有源层分别与所述源极、所述漏极连接且所述有源层设置于所述源极与所述漏极之间;其中,所述栅极采用轻掺杂的硅片制成;所述栅极用于在受到检测光照射时产生感应电压从而使所述源极和所述漏极之间产生感应电流。本发明还公开了一种感光类神经元器件的制作方法。本发明还公开了一种包括上述感光类神经元器件的神经元系统。本发明还公开了一种上述感光类神经元器件的应用。本发明的感光类神经元器件在栅极受到检测光照射时产生感应电压从而使源极和漏极之间产生感应电流,从而实现感光类神经元器件的功能,并且结构简单、低功耗、稳定性高。
搜索关键词: 神经元 系统 感光 神经 元器件 及其 制作方法 应用
【主权项】:
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