[发明专利]一种锗硅光电探测器

摘要

本发明公开了一种锗硅光电探测器，该锗硅光电探测器中雪崩区层的大电场由第一Si电极、第二Si电极、第一电极结构和第二电极结构之间的电压产生，而Ge吸收区层的电场则是由第Ge电极和电荷收集区之间的电压产生，这样可以使得雪崩区层是大电场且Ge吸收区是小电场，极大程度的降低了暗电流，进而提高光电转换效率。

主权项

1.一种锗硅光电探测器，其特征在于，所述锗硅光电探测器包括：基底；设置在所述基底上的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层之间存在第一间隔；设置在所述基底上且位于所述第一间隔内的雪崩区层，所述雪崩区层覆盖所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层的部分表面；设置在所述雪崩区层背离所述基底一侧的电荷收集层；设置在所述电荷收集层背离所述雪崩区层一侧的第一电极结构和第二电极结构；设置在所述第二间隔内的Ge吸收区层，且所述Ge吸收区层分别与所述第一电极结构和所述第二电极结构之间均存在间隔；设置在所述Ge吸收区层背离所述电荷收集层一侧的第三欧姆接触层；设置在所述第一欧姆接触层上的第一Si电极，和设置在所述第二欧姆接触层上的第二Si电极；设置在所述第三欧姆接触层背离所述Ge吸收区层一侧的Ge电极，所述Ge电极为环形结构。