[发明专利]存储装置有效
申请号: | 201910142958.7 | 申请日: | 2019-02-26 |
公开(公告)号: | CN110931560B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 井野恒洋;上牟田雄一 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/51;H10B51/30 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施方式的存储装置具备:第1导电层;第2导电层;及第1层,设置在第1导电层与第2导电层之间,包含氧化铝,氧化铝含有选自由镁(Mg)、硅(Si)、铪(Hf)、钨(W)及钌(Ru)所组成的群中的至少一种第1元素,且氧化铝为铁电体。 | ||
搜索关键词: | 存储 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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