[发明专利]擦除非易失性存储器件中的数据的方法在审
| 申请号： | 201910132706.6 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN110265079A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 南尚完;郭东勋;尹治元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/24;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了擦除非易失性存储器件中的数据的方法。操作非易失性存储器件的方法包括通过将非零擦除电压施加到NAND串的第一端处的源极/漏极端子来擦除存储器件内的存储单元的NAND串内的数据。与在NAND串内的一对选择晶体管中建立栅极感应漏极泄漏(GIDL)的同时施加该擦除电压。该GIDL可以通过向这对选择晶体管的相应的第一栅极端子和第二栅极端子施加不等的且非零的第一电压和第二电压而发生。该选择晶体管可以是串选择晶体管或接地选择晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 选择晶体管 易失性存储器 擦除电压 栅极端子 施加 非零 非易失性存储器件 接地选择晶体管 串选择晶体管 擦除存储器 存储单元 漏极端子 栅极感应 第一端 漏极 源极 泄漏 | ||
【主权项】：
1.一种擦除非易失性存储器件中的数据的方法，所述方法包括：将擦除电压施加到存储块的擦除源端子，所述存储块中具有沿着相对于底层基板的垂直方向堆叠的多个存储单元；将第一电压施加到所述存储块中的多条选择线中的第一选择线，所述第一电压高于所述擦除电压，所述第一选择线被设置为在所述多条选择线中最靠近所述擦除源端子且被用于选择所述存储块作为擦除目标块；以及将第二电压施加到所述多条选择线中的第二选择线，所述第二电压低于所述擦除电压，所述第二选择线被设置得比所述第一选择线更远离所述擦除源端子且被用于选择所述存储块作为所述擦除目标块。
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