[发明专利]一种Hessian-Free的光刻掩模优化方法、装置及电子设备有效
| 申请号： | 201910118915.5 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN111581907B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 丁明 | 申请（专利权）人： | 深圳晶源信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/398;G03F1/68;G03F7/20;G06F115/06 |
| 代理公司： | 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 | 代理人： | 王琴;蒋慧 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路掩模设计领域，尤其涉及一种Hessian－Free的光刻掩模优化方法、装置及电子设备。包括如下步骤：S1、输入待优化掩模的设计版图；S2、在所述待优化掩模的设计版图上放置误差监测点；S3、获得所述待优化掩模的优化变量x；S4、提供关于优化变量x的目标函数cost；S5、利用基于Hessian－Free的共轭梯度方法对所述目标函数cost进行优化，以得到所述待优化掩模的优化结果，基于Hessian－Free的共轭梯度方法对所述目标函数cost进行优化，以得到所述待优化掩模的优化结果能很好的缩小优化过程中的计算资源，使得优化过程更简单，可行，并且提高优化效率；同时不需要类似采用拟牛顿法获得关于H矩阵的近似替换矩阵，能很好的提高优化结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hessian free 光刻 优化 方法 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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