[发明专利]一种Hessian-Free的光刻掩模优化方法、装置及电子设备

权利要求书

1.一种Hessian－Free的光刻掩模优化方法，用于对待优化掩模进行优化，其特征在于，包括如下步骤：

S1、输入待优化掩模的设计版图；

S2、在所述待优化掩模的设计版图上放置误差监测点；

S3、获得所述待优化掩模的优化变量x；

S4、提供关于优化变量x的目标函数cost；

S5、利用基于Hessian－Free的共轭梯度方法对所述目标函数cost进行优化，以得到所述待优化掩模的优化结果。

2.如权利要求1所述的Hessian－Free的光刻掩模优化方法，其特征在于：定义所述目标函数cost如下：

式中：c_i表示第i个曝光条件，p_j表示第j个误差监测点，Power为一设定的正偶数值，Signal(c_i，p_j)表示在第i个曝光条件下第j个误差监测点处的信号误差值，所述信号误差值包括RI的强度或者EPE值，所述RI为光刻胶上的图样的强度，EPE为边缘定位误差，表示对于c_i曝光条件下的权重系数；表示第p_j个点处的权重系数。

3.如权利要求1所述的Hessian－Free的光刻掩模优化方法，其特征在于：所述待优化掩模包括主图形，所述步骤S3中，所述待优化掩模的优化变量x包括主图形的边和/或放置在所述主图形的周围的辅助图形采样点；或者根据所述辅助图形采样点的信号值放置的辅助图形的边。

4.如权利要求1所述的Hessian－Free的光刻掩模优化方法，其特征在于：所述步骤S5具体包括如下步骤：

S51、设定一初始优化变量值x₀；

S52、计算所述目标函数cost的初始优化变量值x₀的梯度值g₀；

S53、判定梯度值g₀是否小于设定的阈值，若是；则执行如下步骤：

S54、结束优化流程，得到所述待优化掩模的优化结果；

若否，则执行如下步骤：

S55、基于H·p_k与优化变量x_k的特征向量v_k的关系对所述优化变量x_k进行迭代更新以获得更新变量x_k+1，其中H为关于目标函数cost的Hessian矩阵，所述p_k＝－g_k，所述g_k为优化变量x_k对于目标函数的梯度。

5.如权利要求4所述的Hessian－Free的光刻掩模优化方法，其特征在于：

上述步骤S55包括如下步骤：

S551、计算系数α_k，

其中，r_k＝－g_k，p_k＝r_k

S552、计算，

v_k+1＝v_k+α_kp_k

S553、更新优化变量：x_k+1＝x₀+v_k+1。