[发明专利]一种全无机钙钛矿薄膜的制备方法及应用在审
申请号: | 201910115717.3 | 申请日: | 2019-02-15 |
公开(公告)号: | CN109786586A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 吴淞全;赵谡玲;宋丹丹;乔泊;徐征 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/00 |
代理公司: | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人: | 王玉 |
地址: | 100044 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种全无机钙钛矿薄膜的制备方法及应用。通过两步旋涂法,首先旋涂PbX2(X=Cl、Br、I)溶液并退火得到薄膜,再旋涂CsX溶液于PbX2薄膜上并退火得到CsPbX3全无机钙钛矿薄膜。该方法操作简单,可以得到均匀且致密分布的全无机钙钛矿薄膜,并可应用于全无机钙钛矿发光二极管中作为有源发光层,有效提高器件的亮度和效率。 | ||
搜索关键词: | 无机钙钛矿 薄膜 退火 旋涂 制备 应用 发光二极管 致密分布 发光层 旋涂法 | ||
【主权项】:
1.一种全无机钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,薄膜由两步旋涂法制备,包括以下步骤:(1)配置PbX2溶液,将PbX2溶于溶剂中,浓度为50‑500mg/ml,并充分搅拌至溶解;(2)配置CsX溶液,将CsX溶于溶剂中,浓度为5‑30mg/ml的,并充分搅拌至溶解;(3)将步骤(1)得到的PbX2溶液在衬底上进行旋涂,退火,得到PbX2薄膜;(4)将步骤(2)得到的CsX溶液在步骤(3)中得到的PbX2薄膜上进行旋涂,退火,得到CsPbX3全无机钙钛矿薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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