[发明专利]一种全无机钙钛矿薄膜的制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 201910115717.3 申请日: 2019-02-15
公开(公告)号: CN109786586A 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 吴淞全;赵谡玲;宋丹丹;乔泊;徐征 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/00
代理公司: 北京市诚辉律师事务所 11430 代理人: 王玉
地址: 100044 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种全无机钙钛矿薄膜的制备方法及应用。通过两步旋涂法,首先旋涂PbX2(X=Cl、Br、I)溶液并退火得到薄膜,再旋涂CsX溶液于PbX2薄膜上并退火得到CsPbX3全无机钙钛矿薄膜。该方法操作简单,可以得到均匀且致密分布的全无机钙钛矿薄膜,并可应用于全无机钙钛矿发光二极管中作为有源发光层,有效提高器件的亮度和效率。
搜索关键词: 无机钙钛矿 薄膜 退火 旋涂 制备 应用 发光二极管 致密分布 发光层 旋涂法
【主权项】:
1.一种全无机钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,薄膜由两步旋涂法制备,包括以下步骤:(1)配置PbX2溶液,将PbX2溶于溶剂中,浓度为50‑500mg/ml,并充分搅拌至溶解;(2)配置CsX溶液,将CsX溶于溶剂中,浓度为5‑30mg/ml的,并充分搅拌至溶解;(3)将步骤(1)得到的PbX2溶液在衬底上进行旋涂,退火,得到PbX2薄膜;(4)将步骤(2)得到的CsX溶液在步骤(3)中得到的PbX2薄膜上进行旋涂,退火,得到CsPbX3全无机钙钛矿薄膜。
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