[发明专利]导电基体生长铜纳米片的方法、导电基体复合材料及应用有效
| 申请号： | 201910115521.4 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN109881220B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 万平玉;吴天怡;刘佳;汪杰;唐阳;谢鳌;陈宇;陈咏梅;王力南;龚艺 | 申请（专利权）人： | 安庆北化大科技园有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D9/08;C25D5/48 |
| 代理公司： | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人： | 王亚洲 |
| 地址： | 246000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种导电基体生长铜纳米片的方法，涉及电极材料制备领域，基于没有在导电基体上原位生长铜纳米片的有效方法的问题而提出的，该方法先通过含有氯化盐、铜盐的酸性溶液中进行电镀获得氯化亚铜‑铜/导电基体复合材料，然后通过高温热处理获得氯化亚铜‑氧化铜/导电基体复合材料，再经电化学还原氯化亚铜和氧化铜后，得到铜纳米片/导电基体复合材料，本发明还提供上述制备方法获得的铜纳米片/导电基体复合材料及其应用，本发明的有益效果在于：通过导电基体上生长二维铜纳米片结构，具有比表面积大的优点，且无需使用粘结剂，电极内阻小，在电催化、传感以及锂离子电池领域具有显著的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 基体 生长 纳米 方法 复合材料 应用 | ||
【主权项】：
1.一种导电基体生长铜纳米片的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)以导电基体为阴极，在含有铜盐、氯化盐、酸的混合溶液中，进行电镀，获得铜‑氯化亚铜/导电基体复合材料；(2)将步骤(1)中获得的铜‑氯化亚铜/导电基体复合材料进行热处理，得到铜‑氯化亚铜‑氧化铜/导电基体复合材料；(3)将步骤(2)中获得铜‑氯化亚铜‑氧化铜/导电基体复合材料经电化学还原获得二维铜纳米片/导电基体复合材料。
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