[发明专利]驱动背板的激光退火工艺及掩膜版在审
| 申请号： | 201910107922.5 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN109801837A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 关峰;王治;许晨 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提出一种驱动背板的激光退火工艺及掩膜版。其中，驱动背板的激光退火工艺包括以下步骤：在驱动背板形成非晶硅层；利用激光源通过掩膜版的透光区照射非晶硅层的部分区域，以对暴露在透光区的非晶硅层的部分区域退火形成多晶硅图案；移动掩膜版和激光源，对暴露在透光区的非晶硅层的其他区域退火形成多晶硅图案。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅层 驱动背板 激光退火 透光区 掩膜版 退火 多晶硅图案 激光源 暴露 掩膜 照射 移动 | ||
【主权项】：
1.一种驱动背板的激光退火工艺，其特征在于，包括以下步骤：在所述驱动背板形成非晶硅层；利用激光源通过掩膜版的透光区照射所述非晶硅层的部分区域，以对暴露在所述透光区的所述非晶硅层的部分区域退火形成多晶硅图案；以及移动所述掩膜版和所述激光源，对暴露在所述透光区的所述非晶硅层的其他区域退火形成多晶硅图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
