[发明专利]一种调控材料中空位缺陷的方法有效
| 申请号： | 201910095442.1 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109935685B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;冯金龙;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种调控材料中空位缺陷的方法，该方法是通过向相变功能材料中插入应力施加材料，从而调控所述相变功能材料中的空位缺陷浓度，并由此得到相变功能材料与应力施加材料嵌合生长生成的复合结构；该复合结构其相变特性主要由其中的所述相变功能材料决定，通过所述应力施加材料的调控使该复合结构其相变特性以由纯的所述相变功能材料得到的相变功能材料晶体其相变特性为基础产生变化，并且该应力施加材料具体为能够形成晶态的材料。本发明尤其通过向晶格常数略小的相变功能材料中插入常数稍大的应力施加材料，能有效降低相变存储材料中空位缺陷的浓度，从而降低其晶化过程的阈值，有效提升其晶化速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调控 材料 空位 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于晶格应力调控相变材料中空位缺陷浓度的方法，其特征在于，该方法是通过向相变功能材料中插入应力施加材料，从而调控所述相变功能材料中的空位缺陷浓度，并由此得到相变功能材料与应力施加材料嵌合生长生成的复合结构；该复合结构其相变特性主要由其中的所述相变功能材料决定，通过所述应力施加材料的调控使该复合结构其相变特性以由纯的所述相变功能材料得到的相变功能材料晶体其相变特性为基础产生变化，并且该应力施加材料具体为能够形成晶态的材料。
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