[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201910082856.0 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111477548B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有鳍部，鳍部中形成有一层或多层牺牲层，鳍部顶部形成有伪栅结构；形成覆盖鳍部侧面的第一侧墙、覆盖伪栅结构侧面的第二侧墙；刻蚀伪栅结构两侧的鳍部，以形成暴露牺牲层和第一侧墙的源/漏凹槽；刻蚀部分暴露的牺牲层，以形成内部凹槽；和在内部凹槽和所述源/漏凹槽侧壁形成隔离层，再去除形成于源/漏凹槽侧壁的隔离层，保留形成于内部凹槽中的隔离层，多次重复上述形成、再去除隔离层的步骤，直至保留在内部凹槽中所述隔离层形成内部隔离结构。多次工艺形成内部隔离结构，能够有效避免源/漏凹槽开口被封闭，容易形成源/漏，提高了晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910082856.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
