[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部，所述鳍部中形成有一层、或间隔形成有多层的牺牲层，所述鳍部顶部形成有伪栅结构；

形成覆盖所述鳍部侧面的第一侧墙、覆盖所述伪栅结构侧面的第二侧墙；

刻蚀所述伪栅结构两侧的所述鳍部，以形成暴露所述牺牲层和所述第一侧墙的源/漏凹槽；

刻蚀部分暴露的所述牺牲层，以形成内部凹槽；和

在所述内部凹槽内和所述源/漏凹槽侧壁形成隔离层，再去除形成于所述源/漏凹槽侧壁的所述隔离层，保留形成于所述内部凹槽中的所述隔离层，多次重复上述形成、再去除所述隔离层的步骤，直至保留在所述内部凹槽中所述隔离层形成内部隔离结构，以隔离后续形成的源/漏与部分环栅结构。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述内部隔离结构的工艺步骤包括：

在所述内部凹槽内和所述源/漏凹槽侧壁形成第一隔离层；

除去形成于所述源/漏凹槽侧壁上的所述第一隔离层，保留在所述内部凹槽中的所述第一隔离层为第一隔离结构；

在所述内部凹槽内和所述源/漏凹槽侧壁形成第二隔离层；和

除去形成于所述源/漏凹槽侧壁上的所述第二隔离层，保留在所述内部凹槽中的所述第二隔离层为第二隔离结构，所述隔离层包括第一隔离层和所述第二隔离层，所述内部隔离结构包括所述第一隔离结构和所述第二隔离结构。

3.根据权利要求2所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料包括：SiO_x、SiN_x、SiON中的一种或者多种组合。

4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层的工艺包括原子层沉积工艺。

5.根据权利要求2所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成内部隔离结构后，暴露所述源/漏凹槽两侧的所述第一侧墙。

6.根据权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，暴露所述源/漏凹槽侧壁后，还包括在所述源/漏凹槽中形成源/漏，所述源/漏覆盖所述内部隔离结构。

7.根据权利要求6所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述源/漏的工艺包括外延生长工艺。

8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述内部凹槽的工艺包括干法刻蚀工艺，所述干法刻蚀工艺的横向刻蚀速率大于纵向刻蚀速率。

9.根据权利要求8所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺为横向干法刻蚀工艺。

10.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成的所述内部凹槽的深度尺寸为l，2nm≤l≤8nm。