[发明专利]晶体管器件的静电放电保护有效
| 申请号： | 201910082349.7 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN110098184B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 霍斯特·克内德根;克里斯托夫·N·纳格尔;里波莎·吉拉卡 | 申请（专利权）人： | DIALOG半导体（英国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G01R31/52;H02H9/04 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 高星 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种用于晶体管器件的过压保护电路。所述过压保护电路包括耦合到晶体管器件的栅极端子的第一引脚、耦合在第二引脚和晶体管器件的源极端子之间的静电放电保护电路、耦合在第一引脚和第二引脚之间的第一二极管，以及与所述第一二极管并联耦合在第一引脚和第二引脚之间的第二二极管。所述第一二极管的正向与第二二极管的正向相反。另外，提出了一种测量晶体管器件的栅极漏电流的方法和一种耦合到这种过电压保护电路的晶体管器件的接合方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 静电 放电 保护 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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