[发明专利]一种铜复合丝的制备方法有效
申请号: | 201910071521.9 | 申请日: | 2019-01-25 |
公开(公告)号: | CN109755138B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 李和平;张益彬 | 申请(专利权)人: | 常宁市隆源铜业有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/49;C21D9/52;C22F1/08;C23C26/00;C25D3/50;C25D7/06 |
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地址: | 421500 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种铜复合丝的制备方法,该方法以纯度为97%以上的铜为原料通过两段熔炼配合微波磁力搅拌进行提纯,然后制成铜杆坯料,并将制得的铜杆坯料进行两次三次拉拔,并在第一次拉拔后通过保护液进行旋涂,在第二次拉拔后电镀纯钯,在第三次拉拔并进行退火处理后清洗即得成品。本发明导电性能强、耐腐蚀性能好、抗锈能力佳,并且韧度高,具有较好的抗拉强度,便于进行连续化的工业生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 复合 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种铜复合丝的制备方法,其特征在于,包括以下操作步骤:S1:将纯度为97%以上的原料铜投入真空炉中,在1200~1350℃的条件下真空熔融,待固体原料完全熔融后进行精炼,然后向真空炉内融入惰性气体,并继续升温到1450~1550℃进行微波磁力搅拌,保持70~90min;S2:取熔融后的铜液放入铜丝制作模具内部,用牵引机组离合式真空上引得到直径为15~20mm的铜杆坯料,并将上述铜杆坯料连续挤压形成铜母线,并将铜母线进行拉拔后得到直径为450~600μm的粗铜丝,然后将粗铜丝进行退火处理;S3:按硅微粉4~6份、二氧化硅3~4份、聚二醇1~2份、0 .0005wt%的纳米级高纯镍粉0.5~0.8份加入真空炉中,加热至750℃~900℃,保持并在300~900rad/min的转速条件下搅拌30~50min,然后降温至500~600℃,保持20~30min;S4:用旋涂法将S3步骤制备的混合溶液涂覆在S2步骤条件下制备的粗铜丝表面;S5:将在步骤S4的条件下涂覆完成的粗铜丝进行第二次拉拔,将粗铜丝成直径为100~150μm的半精铜丝,然后将所述半精铜丝进行退火处理;S6:取步骤S5中制得的半精铜丝进行纯钯电镀,电镀的纯钯为3.0~3.5 w t%的纯钯,纯度要求大于99 .99%;S7:将步骤S6制得的半精铜丝进行第三次拉拔,将半精铜丝拉拔成直径80μm以下的精铜丝,然后将所述精铜丝进行退火处理,处理后清洗即得成品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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