[发明专利]基于TiN衬底的NiFe磁性合金薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910068327.5 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109722631B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 董凯锋;袁震宇;朱来哲;孙超;卢慎敏;宋俊磊;晋芳;莫文琴 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学(武汉) |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/18;C23C14/35;H01F41/18;C30B23/00;C30B29/38 |
| 代理公司： | 42238 武汉知产时代知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郝明琴 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于TiN衬底的NiFe磁性合金薄膜及其制备方法，属于磁性材料领域。本发明采用磁控溅射的方法，首先在玻璃基片上生长CrRu层；然后在CrRu层上磁控溅射生长TiN层；最后在TiN层上磁控溅射生长NiFe磁性合金薄膜；制备的NiFe磁性合金薄膜的化学元素计量比为Ni | ||
| 搜索关键词： | 磁性合金 薄膜 制备 磁控溅射 衬底 晶面取向 生长 化学元素 磁性材料领域 玻璃基片 计量 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于TiN衬底的NiFe磁性合金薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1.采用磁控溅射的方法，首先在玻璃基片上生长CrRu层；/nS2.然后在CrRu层上磁控溅射生长TiN层；/nS3.最后在TiN层上磁控溅射生长NiFe磁性合金薄膜；/n其中，所述NiFe磁性合金薄膜的化学元素计量比为Ni
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