[发明专利]一种利用Nb掺杂增强Ga2O3薄膜光催化降解有机污染物的方法在审
| 申请号： | 201910052102.0 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109554679A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 邓金祥;张浩;段苹;李瑞东;徐智洋;孙俊杰 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;C02F1/30;C02F101/30 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用Nb掺杂增强Ga2O3薄膜光催化降解有机污染物的方法，属于半导体材料光催化降解有机污染物领域。本发明选用Nb作为掺杂剂，采用磁控溅射法在石英基片上沉积一层Nb掺杂的Ga2O3薄膜，Nb的掺杂显著增强了Ga2O3薄膜降解有机污染物的速率。 | ||
| 搜索关键词： | 催化降解有机污染物 有机污染物 掺杂 薄膜光 半导体材料 磁控溅射法 光催化降解 薄膜降解 石英基片 掺杂的 掺杂剂 沉积 薄膜 | ||
【主权项】：
1.Nb掺杂增强Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于：(1)采用石英片作为Ga2O3薄膜生长的基片，对石英基片进行超声清洗；(2)采用射频磁控溅射设备双靶共溅射法在石英基片上沉积一层Nb掺杂的Ga2O3薄膜材料；(3)采用管式炉对Ga2O3薄膜材料进行退火处理。
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