[发明专利]一种利用Nb掺杂增强Ga2O3薄膜光催化降解有机污染物的方法在审
| 申请号： | 201910052102.0 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109554679A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 邓金祥;张浩;段苹;李瑞东;徐智洋;孙俊杰 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;C02F1/30;C02F101/30 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 催化降解有机污染物 有机污染物 掺杂 薄膜光 半导体材料 磁控溅射法 光催化降解 薄膜降解 石英基片 掺杂的 掺杂剂 沉积 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.Nb掺杂增强Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于：
(1)采用石英片作为Ga2O3薄膜生长的基片，对石英基片进行超声清洗；
(2)采用射频磁控溅射设备双靶共溅射法在石英基片上沉积一层Nb掺杂的Ga2O3薄膜材料；
(3)采用管式炉对Ga2O3薄膜材料进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
(4)将制备的Nb掺杂Ga2O3薄膜应用于有机污染物降解；
(1)以石英片作为Ga2O3薄膜生长的基片，超声清洗后用氮气气枪吹干备用；
(2)采用射频磁控溅射设备双靶共溅射法在石英基片上沉积一层Nb掺杂的Ga2O3薄膜材料；系统预真空度为5×10-4Pa；薄膜的生长气氛为Ar，工作气压为1.0Pa；Ga2O3靶材的溅射功率为80W，Nb2O5靶材的溅射功率为10-30W，溅射时间为180min；
(3)采用管式炉对Nb掺杂Ga2O3薄膜材料进行退火处理；退火温度为800℃；恒温时间120分钟；N2作为保护气体后，开始升温，整个退火过程持续通气。
3.采用如权利要求1或2所述的方法所制备的附着Nb掺杂Ga2O3薄膜的石英片催化降解有机污染物。
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