[发明专利]一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910034142.2 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109698249A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 况亚伟;刘玉申;王书昶;倪志春;魏青竹;徐大唐;马玉龙;冯金福 | 申请（专利权）人： | 常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张俊范 |
| 地址： | 215500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，包括基片本体，其特征在于，所述基片本体设有由表面向内部加工的非均匀盲孔，所述非均匀盲孔包括由所述基片本体的表面向内连续设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段直径大于第二孔段直径。本发明还公开了制备具有特定波长光吸收峰值的半导体基片的方法。本发明通过设置的非均匀盲孔阵列可以合理调节特定波长段光子的吸收率,适用于太阳能光伏电池及光电探测器领域。具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 孔段 半导体基片 基片本体 波长光 非均匀 盲孔 制备 吸收 吸收率 光电探测器领域 太阳能光伏电池 连续设置 波长段 光子 向内 加工 生产 | ||
【主权项】：
1.一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，包括基片本体，其特征在于，所述基片本体设有由表面向内部加工的非均匀盲孔，所述非均匀盲孔包括由所述基片本体的表面向内连续设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段直径大于第二孔段直径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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