[发明专利]半导体基底测量设备以及使用其的等离子体处理设备

摘要

提供了一种半导体基底测量设备以及使用其的等离子体处理设备，该半导体基底测量设备包括产生包括第一波段的光和第二波段的光的照射光的光源单元。光学单元将照射光照射到测量对象上，并且会聚反射光。分光单元将在光学单元中会聚的反射光分束到第一光路和第二光路中。第一检测单元设置在第一光路上并且检测反射光中的在第一波段中的第一干涉光。第二检测单元设置在第二光路上并且检测反射光中的在第二波段中的第二干涉光。控制单元计算测量对象的表面形状和厚度中的至少一种。控制单元计算测量对象的温度。

主权项

1.一种半导体基底测量设备，所述半导体基底测量设备包括：光源单元，产生包括第一波段的光和第二波段的光的照射光，所述第二波段的波长比所述第一波段的波长长；光学单元，将所述照射光照射到测量对象上，并且会聚从所述测量对象的表面反射的反射光；分光单元，将在所述光学单元中会聚的所述反射光分束到第一光路和第二光路中；第一检测单元，设置在所述第一光路上并且检测所述反射光中的在所述第一波段中的第一干涉光；第二检测单元，设置在所述第二光路上并且检测所述反射光中的在所述第二波段中的第二干涉光；以及控制单元，基于所述第一干涉光计算所述测量对象的表面形状和厚度中的至少一种，并且基于所述第二干涉光计算所述测量对象的温度。