[发明专利]低温多晶硅的激光退火装置和退火方法有效
| 申请号： | 201910024325.6 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109742042B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 龙春平 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 胡少青 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种低温多晶硅激光退火装置和退火方法，所述激光退火结晶装置依次包括：激光源，透镜组，微透镜阵列掩模，微透镜阵列，TFT掩模以及运输载台；其中，透镜组用于将激光源发出的激光束转换为光强均匀的线平行光，微透镜阵列掩模用于对照射到阵列基板的激光束的光束形状整形，运输载台用于承载制作低温多晶硅TFT阵列基板，微透镜阵列用于使激光聚光到加载的非晶硅薄膜上，TFT掩模用于形成遮挡图案。根据本申请实施例的低温多晶硅激光退火装置，增加了MLA掩模设计和微透镜阵列的灵活性以及TFT设计和工艺的灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温多晶硅激光退火装置，其特征在于，所述激光退火结晶装置依次包括：激光源，透镜组，微透镜阵列掩模，微透镜阵列，TFT掩模以及运输载台；其中，透镜组用于将激光源发出的激光束转换为光强均匀的线平行光，微透镜阵列掩模用于对照射到阵列基板的激光束的光束形状整形，运输载台用于承载制作低温多晶硅TFT的阵列基板，微透镜阵列用于使激光聚光到所述阵列基板上的非晶硅薄膜上，TFT掩模用于形成遮挡图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
