[发明专利]铋硫基超导单晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201910019939.5 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109576773A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈永亮;崔雅静;文志伟;刘世恒;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C30B1/10 | 分类号： | C30B1/10;C30B29/46;H01B12/00 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种铋硫基超导单晶体及其制备方法。该种铋硫基超导单晶体的分子式为LaOxBiS2，0.75≤x≤0.93。其制备方法是：A、将La2S3、Bi2S3、Bi2O3、Bi和S，按照LaOxBiS2的化学计量比称量，再研磨混合均匀得原料混合物；B、将原料混合物与助熔剂CsCl按1：5～10的质量比均匀混合，得原料‑助熔剂混合物；C、将原料‑助熔剂混合物，900～1000℃烧结8～12小时；以0.5℃～2℃/小时的速度降温至600～800℃，之后随炉冷却；用水冲洗10～20次；在50～100℃干燥5～10小时，即得。该铋硫基超导单晶体具有多种晶体结构，其超导性能稳定，超导转变温度为3～3.2K。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶体 硫基 助熔剂 制备 原料混合物 混合物 化学计量比 超导性能 超导转变 晶体结构 随炉冷却 用水冲洗 烧结 再研磨 质量比 称量 | ||
【主权项】：
1.一种铋硫基超导单晶体，其分子式为LaO1‑xBiS2，其中0.07≤x≤0.25。
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