[发明专利]读取余量控制电路、包括其的存储器控制器和电子设备在审
| 申请号: | 201910018759.5 | 申请日: | 2019-01-09 |
| 公开(公告)号: | CN110021310A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
| 发明(设计)人: | 蔡官烨;朴相勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C7/08 | 分类号: | G11C7/08;G11C7/10 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张泓 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 提供读取余量控制电路。读取余量控制电路包括:延迟电路,延迟数据输入/输出信号并生成具有彼此不同相位的延迟信号;采样器,基于数据选通信号对延迟信号进行采样以生成采样值;以及确定器,被配置为基于采样值确定数据输入/输出信号的数据有效窗口。 | ||
| 搜索关键词: | 读取 余量控制 采样 电路 延迟信号 输入/输出信号 存储器控制器 电子设备提供 数据选通信号 输出信号 数据有效 延迟电路 延迟数据 采样器 确定器 配置 | ||
【主权项】:
1.一种读取余量控制电路,包括:延迟电路,被配置为延迟数据输入/输出信号并生成具有彼此不同相位的多个延迟信号;采样器,被配置为基于数据选通信号对多个延迟信号进行采样,以生成多个采样值;以及确定器,被配置为基于多个采样值来确定数据输入/输出信号的数据有效窗口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910018759.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:NAND型ROM
- 下一篇:非易失性存储设备以及操作其的方法





