[发明专利]一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺在审
| 申请号： | 201910015738.8 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109623554A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 张冲波;吴镐硕;刘秒;陈良臻;刘琦;武卫;孙晨光 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B9/06 | 分类号： | B24B9/06;B24B29/02 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 刘莹 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺，包括将硅片放入边抛机中喷淋边抛液，调节工艺参数如下，然后开始抛光，所述的工艺参数如下：V槽工位：抛光压力9‑11N，抛光时间26‑30s，抛光角度为0度、45度和‑45度；边缘工位：抛光头转速235‑245rpm，时间20‑22s。本发明所述的边抛工艺可以有效地降低硅片边缘粗糙度，防止后续外延加工时出现层错和位错等不良现象，并且减少边缘应力，降低发生边缘崩边、裂片等风险。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片边缘 抛光 粗糙度 工位 边缘应力 不良现象 抛光压力 抛光头 有效地 硅片 崩边 放入 裂片 喷淋 位错 加工 | ||
【主权项】：
1.一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺，其特征在于：将硅片放入边抛液中调节工艺参数如下，然后开始抛光，所述的工艺参数如下：V槽工位：抛光压力9‑11N，抛光时间26‑30s，抛光角度为0度、45度和‑45度；边缘工位：抛光头转速235‑245rpm，时间20‑22s。
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