[发明专利]栅驱动电路的高压隔离环器件

摘要

本发明公开了一种栅驱动电路的高压隔离环器件，由LDMOS组成，在P型衬底和N型外延层的界面形成有第一至第三P型埋层和N型埋层；第一和第二P型埋层的顶部形成有高压N阱，两高压N阱之间的区域为LDMOS的单元结构的形成区域，LDMOS的单元结构的P阱底部包括了纵向连接在一起的P型顶部注入和第三P型埋层并使器件为非隔离型结构；P型顶部注入层的第二侧还横向延伸到漂移区中并从底部将漏区场氧的第一侧面覆盖，结合非隔离型结构和P型顶部注入层的延伸结构降低漏区场氧的第一侧面底部的电场强度，提高器件的耐压稳定性和产品可靠性。本发明能提高器件的耐压稳定性和产品可靠性。

主权项

1.一种栅驱动电路的高压隔离环器件，其特征在于，高压隔离环器件由LDMOS组成，包括：P型衬底，在所述P型衬底表面形成有N型外延层；在所述P型衬底和所述N型外延层的界面的选定区域中形成有P型埋层和N型埋层；所述P型埋层包括第一P型埋层、第二P型埋层和第三P型埋层；在所述第一P型埋层的顶部表面到所述N型外延层的顶部表面之间的所述N型外延层中形成有第一高压P阱，在所述第二P型埋层的顶部表面到所述N型外延层的顶部表面之间的所述N型外延层中形成有第二高压P阱；所述第一高压P阱和所述第二高压P阱之间的区域为所述LDMOS的单元结构的形成区域，所述LDMOS的单元结构包括：P阱，形成于所述N型外延层的选定区域中；漂移区由所述P阱的第二侧外的所述N型外延层组成；在所述漂移区的表面形成有漏区场氧，所述漏区场氧和所述P阱的第二侧相隔有距离；栅极结构由形成于所述P阱表面的栅介质层和多晶硅栅叠加而成；所述多晶硅栅的第二侧还延伸到所述漏区场氧的表面上；由N+区组成的源区形成于所述P阱的表面且和所述多晶硅栅的第一侧自对准；由N+区组成的漏区形成于所述漏区场氧的第二侧外的所述N型外延层；第三P型埋层位于所述P阱的正下方，在所述P阱的底部还形成有P型顶部注入层，所述P阱、所述P型顶部注入层和所述第三P型埋层形成纵向的连接结构并使所述P阱和所述P型衬底相连从而使所述LDMOS的源区为非隔离型结构；所述P型顶部注入层的第二侧还横向延伸到所述漂移区中并从底部将所述漏区场氧的第一侧面覆盖，结合所述非隔离型结构和所述P型顶部注入层的延伸结构降低所述漏区场氧的第一侧面底部的电场强度，提高器件的耐压稳定性和产品可靠性。