[发明专利]量子点发光二极管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910002903.6 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109728179A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 李东 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种量子点发光二极管器件及其制备方法，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的量子点发光二极管器件的由于电子迁移率低而造成的亮度以及效率低的问题。本发明的量子点发光二极管器件，包括：量子点发光层；分别位于量子点发光层两侧的第一电极和第二电极；位于量子点发光层与第二电极之间的电子传输层，电子传输层两侧分别与量子点发光层和第二电极连接；其中，电子传输层具有至少两个子电子传输层；在任意两个子电子传输层中，靠近量子点发光层的子电子传输层的LUMO能级比远离量子点发光层的子电子传输层的LUMO能级高，子电子传输层的LUMO能级均比量子点发光层的LUMO能级低，且比第二电极的功函数高。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 电子传输层 发光层 发光二极管器件 第二电极 制备 电子迁移率 第一电极 功函数 | ||
【主权项】：
1.一种量子点发光二极管器件，其特征在于，包括：量子点发光层；分别位于所述量子点发光层两侧的第一电极和第二电极；位于量子点发光层与第二电极之间的电子传输层，所述电子传输层两侧分别与量子点发光层和第二电极连接；其中，所述电子传输层具有至少两个子电子传输层；在任意两个子电子传输层中，靠近所述量子点发光层的所述子电子传输层的LUMO能级比远离所述量子点发光层的所述子电子传输层的LUMO能级高，所有子电子传输层的LUMO能级均比量子点发光层的LUMO能级低，且比第二电极的功函数高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910002903.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
