[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910002291.0 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109698199A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘毅华;范鲁明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底；刻蚀所述基底形成第一图形，所述第一图形具有第一关键尺寸；在所述第一图形内形成第一填充层，所述第一填充层表面低于所述基底表面，填充所述第一图形下部；形成覆盖所述第一填充层上方的第一图形侧壁的调整层，调整层之间形成第二图形，所述第二图形底部暴露出部分第一填充层，所述第二图形具有第二关键尺寸，所述第二关键尺寸小于第一关键尺寸；在所述第二图形内填充第二填充层。上述方法有利于降低形成超细孔的尺寸的难度和成本，提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 填充层 半导体结构 调整层 基底 填充 基底表面 图形侧壁 超细孔 刻蚀 暴露 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；刻蚀所述基底形成第一图形，所述第一图形具有第一关键尺寸；在所述第一图形内形成第一填充层，所述第一填充层表面低于所述基底表面，填充所述第一图形下部；形成覆盖所述第一填充层上方的第一图形侧壁的调整层，调整层之间形成第二图形，所述第二图形底部暴露出部分第一填充层，所述第二图形具有第二关键尺寸，所述第二关键尺寸小于第一关键尺寸；在所述第二图形内填充第二填充层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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