[发明专利]多光谱图像传感器和用于制造图像传感器的方法在审
| 申请号： | 201880097478.7 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112689899A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 阿西姆·布哈伊马 | 申请（专利权）人： | 洛桑联邦理工学院 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王爱涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种多光谱图像传感器，该多光谱图像传感器具有用于检测具有不同波长范围的光分量的图像的像素阵列，该多光谱图像传感器包括多个成像层，每个成像层嵌入在半导体基底中，其中在成像层中的每一个中设置有光检测区域阵列，其中，光检测区域配置有不同的吸收特性，其中成像层被堆叠使得阵列的光探测区域被对准，其中吸收特性允许至少一个预定波长范围的光分量的优选吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 光谱 图像传感器 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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