[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的缺陷检测方法在审
| 申请号： | 201880095931.0 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN112912996A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 倪奎;林茂仲;陈羿恺 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G02F1/13;G01N21/91 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种薄膜晶体管阵列基板的缺陷检测方法，包括如下步骤：提供待检测的薄膜晶体管阵列基板，所述待检测的薄膜晶体管阵列基板包括基底、设置在所述基底上的薄膜晶体管阵列层(S101)；在所述薄膜晶体管阵列层背朝所述基底的侧面形成包含有示踪物的膜层(S103)；去除覆盖在所述薄膜晶体管阵列层的裸露面上的所述膜层(S105)；采用辐射源照射所述薄膜晶体管阵列层背朝所述基底的一侧，并通过光电传感器获取感测信号(S107)；以及根据所述感测信号，判断薄膜晶体管阵列层是否存在缺陷(S109)。本申请薄膜晶体管阵列基板的缺陷检测方法，不仅提高了检测有效率，且较低了质量安全风险。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
