[发明专利]激光退火装置在审
申请号: | 201880095618.7 | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN112424920A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 金仙株;河载均;苏裕真 | 申请(专利权)人: | 株式会社考恩斯特 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C21D10/00;H01S3/10 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种激光退火装置,其包括:激光光源,其放射激光;激光整形部,其接收从所述激光光源放射的激光,并以既定的大小及形态的线光束整形;成像光学系统,其使整形的激光通过后集束,并向退火对象物基板照射;基台,其装载所述基板并使其与基板面平行地在平面上移动,并且,还包括激光补正部,其检查从所述激光光源放射的激光到达至所述基板的激光状态及路径,并根据检查结果补正激光的状态及路径。根据本发明能够补正在激光光源及路径上的光学要素的不稳定性引起的激光的路径或状态的变化,从而,能够准确地在基台上的基板的准确位置进行为激光退火的光照射。 | ||
搜索关键词: | 激光 退火 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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