[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201880094361.3 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN112236868A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 大田裕之 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 叶乙梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 薄膜晶体管(101)包括支承于基板(1)的栅电极(2)、覆盖栅电极的栅极绝缘层(3)、配置于栅极绝缘层上且包含多晶硅区域(4p)的半导体层，多晶硅区域(4p)具有：半导体层(4)，其包括第一区域(Rs)、第二区域(Rd)、以及位于第一区域与第二区域之间的沟道区域(Rc)；源电极(8s)，其与第一区域电连接；漏电极(8d)，其与第二区域电连接，以及至少一个保护部(20)，在所述沟道区域的一部分上，还具有从第一区域和第二区域的至少一个隔开间隔配置，保护部(20)具有层叠构造，该层叠构造包含:i型半导体层(10)，其以与沟道区域(Rc)直接接触的方式配置，并且具有比多晶硅区域大的带隙，由本征的半导体构成；以及保护绝缘层(5)，其配置于i型半导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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