[发明专利]激光退火方法、激光退火装置及有源矩阵基板的制造方法在审
| 申请号： | 201880094154.8 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN112236843A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 石田茂 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 叶乙梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施方式的激光退火方法包括：在载物台(70)上配置表面形成有非晶硅膜的基板(1S)的工序；向非晶硅膜的被选择区域的表面供给‑100℃以下的第一氮气的工序；通过向供给第一氮气的被选择区域发射多个激光束(LB),在非晶硅膜内形成多个结晶硅岛的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 方法 装置 有源 矩阵 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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