[发明专利]内窥镜用摄像装置和内窥镜在审
申请号: | 201880093674.7 | 申请日: | 2018-07-06 |
公开(公告)号: | CN112189258A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 藤森纪幸 | 申请(专利权)人: | 奥林巴斯株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B1/04;H04N5/225;H04N5/369 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孙明浩;崔成哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 内窥镜用摄像装置(1)具备:作为混合透镜元件(20、30、40)的光学部(10),其接合有多个光学元件(20、29、30、39、40、49),所述多个光学元件中的至少任意一个光学元件在玻璃板(21、31、41)的主面配设有树脂透镜(22、32、42);以及摄像部(50),其接受由所述光学部(10)聚光得到的被摄体像,所述树脂透镜(22、32、42)的表面及所述树脂透镜的周围的所述主面被透明无机膜(23、33、43)覆盖。 | ||
搜索关键词: | 内窥镜 摄像 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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