[发明专利]静态蒸发源、真空处理腔室以及在基板上沉积材料的方法在审
| 申请号： | 201880093571.0 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN112135921A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·勒普 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/04;C23C14/56;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种用于在真空中将材料沉积在设置在沉积区域(A)中的基板(101)上的静态蒸发源(100)。所述静态蒸发源(100)包括：蒸发坩埚(110)，所述蒸发坩埚(110)被配置为蒸发至少一种材料；多个出口(120)，所述多个出口(120)被配置为在真空中朝向设置在沉积区域(A)中的基板(101)发出至少一种所蒸发的材料，所述多个出口(120)具有相应多个主蒸发方向(D)，所述多个主蒸发方向(D)中的至少两个主蒸发方向(D1、D2、D3)彼此不同；和分配系统(130)，所述分配系统(130)被配置为在所述蒸发坩埚(110)与所述多个出口(120)之间提供流体连通。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 蒸发 真空 处理 以及 基板上 沉积 材料 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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