[发明专利]静态蒸发源、真空处理腔室以及在基板上沉积材料的方法在审

专利信息
申请号: 201880093571.0 申请日: 2018-06-08
公开(公告)号: CN112135921A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 安德烈亚斯·勒普 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/04;C23C14/56;H01L51/56
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 静态 蒸发 真空 处理 以及 基板上 沉积 材料 方法
【说明书】:

描述了一种用于在真空中将材料沉积在设置在沉积区域(A)中的基板(101)上的静态蒸发源(100)。所述静态蒸发源(100)包括:蒸发坩埚(110),所述蒸发坩埚(110)被配置为蒸发至少一种材料;多个出口(120),所述多个出口(120)被配置为在真空中朝向设置在沉积区域(A)中的基板(101)发出至少一种所蒸发的材料,所述多个出口(120)具有相应多个主蒸发方向(D),所述多个主蒸发方向(D)中的至少两个主蒸发方向(D1、D2、D3)彼此不同;和分配系统(130),所述分配系统(130)被配置为在所述蒸发坩埚(110)与所述多个出口(120)之间提供流体连通。

技术领域

本公开内容的实施方式涉及静态蒸发源、真空处理腔室以及在基板上沉积材料的方法。本公开内容的实施方式具体地涉及用于将有机材料沉积在不移动的基板上的静态蒸发源和对应的真空处理腔室,并且涉及一种相关方法。

背景技术

已知若干用于在基板上沉积材料的方法。例如,可通过使用蒸发工艺、物理气相沉积(PVD)工艺(诸如溅射工艺、喷涂工艺等)或化学气相沉积(CVD)工艺来涂覆基板。可在待涂覆的基板所在的沉积设备的处理腔室中执行工艺。沉积材料被提供在处理腔室中。多种材料(诸如有机材料、分子、金属、氧化物、氮化物和碳化物)都可用于在基板上进行沉积。另外,可在处理腔室中进行其他工艺,如蚀刻、结构化、退火或类似工艺。

举例而言,例如在显示器制造技术中,对于大面积基板,可考虑涂覆工艺。所涂覆的基板可用于若干应用和若干技术领域。例如,一种应用可为有机发光二极管(OLED)面板。另外的应用包括绝缘面板、微电子装置,诸如半导体装置、具有薄膜晶体管(TFT)的基板、滤色器或类似者。OLED是由(有机)分子薄膜组成的固态装置,其通过被施加电力来产生光。作为一个示例,与例如液晶显示器(LCD)相比,OLED显示器可在电子装置上提供亮显示并减少使用功率。在处理腔室中,产生(例如,蒸发、溅射或喷射等)有机分子并使其在基板上沉积成层。颗粒可例如穿过具有边界或具体图案的掩模,以在基板上的预期位置处沉积材料,例如,以在基板上形成OLED图案。

普通沉积系统采用线性蒸发源,所述线性蒸发源沿着基板移动或基板在线性蒸发源上移动。然而,在基板或线性蒸发源移动期间发生磨蚀,引起真空腔室的污染。

鉴于上述,需要可提供更清洁的处理环境的方法、设备和系统。

发明内容

鉴于上述,提供了一种静态或固定蒸发源、一种真空处理腔室和一种将材料沉积在基板上的方法。本公开内容的另外的方面、益处和特征从权利要求书、说明书和附图中显而易见。

根据一个实施方式,提供了一种静态蒸发源,所述静态蒸发源用于在真空中将材料沉积在设置在沉积区域中的基板上。所述静态蒸发源包括:蒸发坩埚,所述蒸发坩埚被配置为蒸发至少一种材料;多个出口,所述多个出口被配置为在真空中朝向设置在沉积区域中的基板发出至少一种所蒸发的材料,所述多个出口具有相应多个主蒸发方向,所述多个主蒸发方向中的至少两个主蒸发方向彼此不同;和分配系统,所述分配系统被配置为在所述蒸发坩埚与所述多个出口之间提供流体连通。

根据一个实施方式,提供了一种真空处理腔室。所述真空处理腔室包括静态蒸发源,所述静态蒸发源用于将材料沉积在设置在沉积区域中的基板上。所述静态蒸发源包括:蒸发坩埚,所述蒸发坩埚被配置为蒸发至少一种材料;多个出口,所述多个出口被配置为在真空中朝向设置在沉积区域中的基板发出至少一种所蒸发的材料,所述多个出口具有相应多个主蒸发方向,所述多个主蒸发方向中的至少两个主蒸发方向彼此不同;和分配系统,所述分配系统被配置为在所述蒸发坩埚与所述多个出口之间提供流体连通。

根据一个实施方式,提供了一种在真空中将材料沉积在基板上的方法。所述方法包括:在真空中将基板运输到沉积区域;使材料通过蒸发源的多个出口沉积在所述基板上,所述多个出口具有相应多个主蒸发方向,所述多个主蒸发方向中的至少两个主蒸发方向彼此不同;和在所述材料沉积在所述基板上时保持所述基板静止。

附图说明

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