[发明专利]半导体激光器及其制造方法有效
| 申请号： | 201880092013.2 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN111937260B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 渊田步;中村直干;境野刚 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/227 | 分类号： | H01S5/227 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有：有源层脊(6)，其在n型InP衬底(1)之上依次层叠了n型包覆层(2)、有源层(3)、第一p型包覆层(4)、第二n型阻挡层(5)，有源层脊(6)是从比有源层(3)低的位置凸出而形成的；填埋层(7)，其将有源层脊(6)的两侧填埋至比有源层(3)高的位置；第一n型阻挡层(8)，其在有源层脊(6)的两侧层叠于填埋层(7)的表面侧；以及第二p型包覆层(10)，其对有源层脊(6)的端部以及第一n型阻挡层(8)进行填埋，在处于有源层脊(6)顶部的第二n型阻挡层(5)的中央设置使空穴电流通过的电流狭窄窗(9)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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